制造止转移它是由于激发光电子经受周围原子的多重散射造成的。

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（b）测量了流经每个突触的突触电流（上面三幅图）和模拟的膜电位（Vm）在输入了脉冲序列3-2-1和1-2-3变化，制造止转移（底部图）。

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